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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模——基于BSIM-CMG标准

用于集成电路仿真和设计的FinFET建模——基于BSIM-CMG标准

定　　价：99 元

丛书名：微电子与集成电路先进技术丛书

        

  • 作者：[印度] 尤盖希·辛格·楚罕（Yogesh Singh Chauhan）[中国]
  • 出版时间：2020/9/1
  • ISBN：9787111659815
  • 出 版 社：机械工业出版社
  • 中图法分类：TN402 
  • 页码：252
  • 纸张：
  • 版次：
  • 开本：16开
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读者对象:集成电路设计工程师、器件工程师、研究人员以及微电子专业师生

随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点，传统的平面MOSFET结构已不再适用，新型的三维晶体管（FinFET）结构逐渐成为摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手，详细讨论了FinFET紧凑模型（BSIM-CMG）产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导，而进行了更为直接的机理分析，力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。
本书可以作为微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业高年级本科生、研究生的专业教材和教师参考用书，也可以作为工程师进行集成电路仿真的FinFET模型手册。
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