本书以工程应用为目标,聚焦基本概念与原理、表面组装核心工艺、主要组装工艺问题及最新应用问题,以图文并茂的形式,介绍了焊接的基础原理与概念、表面组装的核心工艺与常见不良现象,以及组装工艺带来的可靠性问题。全书结合内容需求,编入了几十个经典案例,这些案例非常典型,不仅有助于读者深入理解有关工艺的概念和原理,也可作为类似不良
本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法,包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等,模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米,时间从亚皮秒量级到106s,并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用,揭示了典型半导
本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺,详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺,并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。
本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章,包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战,栅介质材料的基本概念及物理知识储备,栅介质材料的基本制备技术及表征方法;着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用,如高κ与
本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等,包括光刻技术的前沿进展,还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。
超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一,它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层,突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系(Ron,spVB^2.5),将2.5次方关系降低为1.32次方,甚至是1.03次方关系,被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息,重点介绍了作者在功率超结器件研
单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片,其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等,高压厚膜SOI基横向IGBT器件(高压厚膜SOI-LIGBT器件)在其中被用作开关器件,是该芯片中的核心器件,其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章:介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原
本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象,系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究,为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。
本书以著名光子学家郭光灿院士指出的“书乃明理于本始,惠泽于世人……探微索隐,刻意研精,识其真要,奉献读者”为旨要,以12章成体,以激光单元技术和应用技术为用。首先对各种单元技术结构特点、运转机理等基础知识进行介绍;然后分别介绍激光调制、偏转、调Q、超短脉冲、放大、横模选取、纵模选取、稳频、非线性光学、激光微束等技术,其
本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展,结合作者的研究成果撰写而成,系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法,通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控,进而实现对光学、电学和磁学性质的调制,获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本