本书系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工作成果积累，选择性介绍了几种重要的光电子晶体材料的生长技术

氮化镓单晶材料生长与应用正在快速发展，本书以作者所在团队多年来的研究工作为基础，并作了大量扩展和补充，呈现了该领域的最新研究成果。具体来说，本书分八章内容详细介绍了氮化镓单晶材料生长的基本原理、技术方法、发展现状及应用趋势。本书系统性强，有较完整的专业知识讲解，实验数据丰富。虽然本书所涉及内容没有涵盖氮化镓单晶材料生长

本书将矿物材料与固废资源高效开发利用紧密结合，阐述了脱硫石膏在酸性低盐溶液中水热制备晶须涉及的理论与技术。内容包括：无机盐添加剂对脱硫石膏溶液组成和晶须制备的影响、晶须制备宏观参数与微观参数之间定量关系、脱硫石膏晶须水热生长动力学、无机盐阴阳离子作用机理、晶须晶体结构转化规律、脱硫石膏晶须绿色制备与应用探索等。

本书介绍了液封提拉法生长晶体技术的特点及研究现状、蓝宝石单晶生长技术的现代趋势和应用进展,重点讨论了基于液封提拉法制备蓝宝石晶体、硅单晶的热毛细对流的线性稳定性分析方法,给出了微重力条件下、常重力条件下,5cSt硅油/HT-70、B2O3/蓝宝石熔体工质对在上部为自由表面的热毛细对流、上部为自由表面的浮力-热毛细对流、

本书属Springer材料科学系列教材之一，主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有：GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN

传统的晶体生长理论模型创建时，受时代限制，缺乏原位实时观测晶体生长过程微观结构演化的实验基础，难以真实、完整地反映晶体生长过程中微观结构的演化。本书突破了晶体生长机理研究的传统思维，采用高温激光显微拉曼光谱和同步辐射Ｘ射线衍射等现代观测技术，从微观尺度上，原位实时观测晶体生长过程中微观结构的演化。发现了晶体熔融生长时，

本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程，着重讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应等问题做了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统中的的生长动力学采用统一的观点加以阐述。本书是一本全面论述晶体生长理论的专著，既可作为高等院校学生和研究有关晶体生长课程的

《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)