本书较全面、系统地介绍了半导体物理的基本理论、半导体器件原理及MEMS设计的相关知识。主要内容包括：半导体、杂质、能带、晶格等基本概念，二极管的结构、电流－电压特性、开关特性，双极型、MOS晶体管的电流、电压方程、瞬变特性、开关特性、击穿特性及较新的结构设计，同时介绍了MEMS的基本概念、设计方法、应用及未来发展方向。
　　本书可以作为高等学校微电子、集成电路专业本科生专业英语教材，也可供从事相关领域科研工作的技术人员阅读参考。

1　半导体基础
　1.1　半导体材料
　1.2　晶体结构
　1.3　波尔原子模型　
　1.4　固体材料价键模型
　1.5　固体材料的能带模型
　1.6　半导体中的自由载流子密度
　1.7　施主杂质与受主杂质
2　载流子的输运与复合
　2.1　电子与空穴的散射与漂移
　2.2　漂移电流
　2.3　载流子扩散
　2.4　载流子产生与复合过程　
3　二极管特性
　3.1　介绍
　3.2　理想PN结（定性）
　3.3　理想同质PN结（定量）
　3.4　PN结小信号阻抗
　3.5　二极管的开关特性
4　双极型晶体管的静态特性
　4.1　介绍
　4.2　输出特性　
　4.3　电流增益
　4.4　理想晶体管模型
　4.5　缓变基区晶体管
　4.6　基区宽度调变效应（EARLY效应）
　4.7　晶体管的电流集边效应与基区电阻
　4.8　大注入效应
　4.9　基区扩展效应（KIRK效应）
　4.10　发射结的复合
　4.11　击穿电压
　4.12　直流EBERS-MOLL基本模型
5　双极型晶体管的动态特性
　5.1　交流EBERS-MOLL模型
　5.2　小信号等效电路
　5.3　双极型晶体管的储藏电荷电容
　5.4　晶体管的频率响应
　5.5　高频晶体管
　5.6　开关晶体管
6　MOSFET晶体管的静态特性
　6.1　介绍
　6.2　MOS结构特性
　6.3　MOSFET晶体管的电流电压方程
　6.4　横向电场＆L与纵向电场＆L的影响
　6.5　沟道电荷QCH讨论
　6.6　MOSFET晶体管的阈电压
7　MOSFET晶体管的动态特性
8　MEMS工艺微电子机械系统
附录
参考文献