宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路
定 价:98 元
丛书名:国家出版基金项目“十二五”国家重点出版规划项目
第1章 绪论1.1 电力电子器件的发展1.1.1 Si电力电子器件的发展1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展1.1.3 我国电力电子器件的发展1.2 固态微波器件的发展1.2.1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展1.3 固态器件在雷达领域的应用1.3.1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T/R模块1.3.3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源/固态脉冲调制源 参考文献第2章 宽禁带半导体材料2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料2.1.1 GaN晶体性质和制备2.1.2 SiC晶体性质和制备2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术2.2.1 SiC同质外延生长方法2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术2.2.3 SiC外延层缺陷2.3 氮化物材料的异质外延生长技术2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术2.3.3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题2.4 宽禁带半导体材料的表征方法2.4.1 X射线衍射测试2.4.2 原子力显微镜测量2.4.3 光致发光谱测量2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试2.4.5 汞探针CV法测量杂质浓度分布 参考文献第3章 碳化硅高频功率器件3.1 SiC功率二极管3.1.1 siC肖特基二极管3.1.2 siC PIN二极管3.1.3 SiC JBS二极管3.1.4 siC二极管进展3.1.5 siC二极管应用3.2 SiC MESFET 3.2.1 工作原理3.2.2 SiC MESFET研究进展3.2.3 SiC MESFET应用3.3 SiC MOSFET 3.3.1 工作原理3.3.2 关键工艺3.3.3 SiC MOSFET进展3.3.4 SiC MOSFET应用3.4 siC JFET