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硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有 力工具,《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》对Sr/Si体系进行了深入的研究,主要 分为以下3个部分:(1)第一部分:Si(100)衬底上的 Sr/Si再构;(2)第二部分:Si(111)衬底上的Sr/Si 再构;(3)第三部分:超薄SrTiO3膜的高温晶化。
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