《掺杂GAN纳米线制备技术》共分9章，主要内容包括各种元素掺杂CaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AIN包覆CaN纳米线的制备及表征，分析了AIN包覆GaN纳米线的形成机理。该书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的工艺，以便读者更好地了解该书的内容。
　　《掺杂GAN纳米线制备技术》可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。

　　氮化镓（GaN）的化学性质稳定，并且具有许多优异的物理性质，包括带隙宽、介电常数小、击穿电压高、导热性能高等，使其在光电子器件和功能器件方面具有广阔的应用前景。GaN作为第三代半导体材料，是目前全球半导体研究的热点和前沿，GaN纳米线的可控合成可以为电子器件的设计与制备提供坚实的基础，从而进一步提升其在电子器件方面的应用。
　　掺杂是一种改善材料电学性质的有效手段，本书对掺杂GaN纳米线的制备工艺及性能进行了系统介绍，是作者研究小组近十年来在GaN纳米线制备领域的主要研究工作和成果，内容主要涉及各种元素掺杂GaN纳米线的制备技术和AIN包覆GaN纳米线的制备及表征等。
　　本书内容涉及的工作得到国家自然科学基金项目和陕西省创新人才推进计划项目的资助，感谢研究生付楠楠、张玉龙、宋莎、吕世焘、王囚辉、李丹丹、刘晓钰、闰洁、王含笑等人对本书的贡献。
　　本书是作者团队多年从事GaN纳米线制备技术研究工作的总结，由于作者水平有限，书中若存在不妥之处，欢迎读者不吝指正。