本书针对AlInN/GaN异质结构HEMT器件性能的热退化问题，提出添加背势垒层和自支撑GaN衬底的解决思路，并通过数值模拟的方法进行了验证优化。同时通过模拟和实验研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质结构HEMT器件的pH传感器性能，并对感测区尺寸进行了优化，证明GaN基异质结构HEMT器件具有优异的pH值探测性能。