脉冲功率技术在军事和工业的众多领域都有着广泛应用。脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件之一，由于半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等优点，脉冲功率开关出现了半导体化的趋势。本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述，然后分别论述了电流控制型器件(具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管)和电压控制型器件(具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用，特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关(包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管)的机理模型和实际运用等问题，论述了部分新型碳化硅基器件，最后阐述了脉冲功率应用技术。