半导体器件，基本放大电路，放大电路的频率响应，功率放大电路，模拟集成电路基础，放大电路中的反馈，信号运算与处理电路，波形发生与信号转换电路，直流电源等。

《模拟电子技术基础（电类）（第2版）》适用于作为高等院校电气电子信息类各专业的教材用书，也可以供相关专业选用和社会读者阅读。

      我的面前摆放着十多本封面五颜六色的电工电子学系列课程教材，它们是中南大学信息科学与工程学院电子科学与技术系电工电子学系列课程教学团队多年辛勤劳动和教学实践的结晶。
　　电流所经过的路径叫电路。大学生学习电工电子电路课程的意义犹如行人、游人、司机学习行路知识和人们探求人生之路的真谛一样重要。无论是“电路”、“前进道路”还是“人生道路”，都有一个“路”字。俗话说，“路是人走出来的”。人生之路是探索出来的，行路见识是体验出来的，电路知识是学习得来的。研究发现，人类社会的许多自然现象、科技和人文问题都可用电路的方法来模拟，人类自身的许多活动和智能行为也可用电路的方法通过硬件与软件来模仿。因此，电工电子学系列课程作为技术基础课程对高校人才培养所起的重要作用是不言而喻的。电工电子学的基础知识、基础理论和基本技能正通过教学活动和人的智能活动向各个学科领域扩展和渗透，发挥着越来越大的作用。通过本系列课程学习，学生能够获得关于电工电子学的基本理论、基本知识和基本技能，为后续专业课程的学习和毕业后参加工作打下基础。
　　现由中南大学出版社出版的这套电工电子学系列教材，是根据电工电子学系列课程教学体系而编写的，其教学目标在于培养学生的创新能力，满足不同专业学生的培养要求和个性化人才培养的需求。该系列教材分为3大类别：第1为基础知识类，第2为扩展知识类，第3为实践技能类。其中，基础知识教材又分为电类、机电类、非电类、文理类4个层次共9个模块；扩展知识类教材主要是电工电子学新知识的扩展与延伸，共有10个模块；实践技能类教材分为实验、实习和课程设计3个模块。

第1章 半导体器件
1.1 半导体材料及PN结
1.1.1 本征半导体
1.1.2 杂质半导体
1.1.3 PN结
1.2 半导体二极管
1.2.1 二极管的结构类型
1.2.2 二极管的伏安特性
1.2.3 二极管的常用电路模型
1.2.4 二极管的主要参数
1.2.5 稳压二极管
1.2.6 二极管的应用举例
1.3 双极型晶体三极管
1.3.1 BJT的结构及类型
1.3.2 三极管的电流放大作用
1.3.3 BJT的特性曲线
1.3.4 三极管的主要参数
1.3.5 温度对BJT特性及其参数的影响
1.4 场效应管
1.4.1 绝缘栅型场效应管
1.4.2 场效应管的主要参数
1.5 自学材料
1.5.1 特殊二极管
1.5.2 结型场效应管
1.5.3 特殊三极管
本章小结
习题


第2章 基本放大电路
2.1 概述
2.1.1 基本放大电路的分类
2.1.2 基本放大电路的组成
2.1.3 放大电路的主要技术指标
2.1.4 三极管的电路模型
2.1.5 放大电路中的直流通路和交流通路
2.2 基本放大电路的分析
2.2.1 图解法
2.2.2 放大电路的等效电路法分析
2.3 放大电路静态工作点的稳定
2.3.1 温度对静态工作点的影响
2.3.2 稳定静态工作点的措施
2.4 共集放大电路和共基放大电路
2.4.1 共集电极基本放大电路
2.4.2 共基极基本放大电路
2.4.3 3种基本组态放大电路的比较
2.5 场效应管放大电路
2.5.1 场效应管的直流偏置电路及静态分析
2.5.2 3种接法FET放大电路的动态分析
2.6 多级放大电路
2.6.1 多级放大电路的耦合方式及其电路组成
2.6.2 多级放大电路的分析
2.7 自学材料——其他耦合放大电路
2.7.1 变压器耦合放大电路
2.7.2 光耦合放大电路
本章小结
习题


第3章 放大电路的频率响应
3.1 概述
3.2 RC电路的频率响应
3.2.1 RC低通电路的频率响应
3.2.2 RC高通电路的频率响应
3.3 晶体管的高频等效模型
3.3.1 晶体管混合π模型的建立
3.3.2 简化的混合π模型
3.3.3 混合π模型的主要参数
3.4 共射极放大电路的频率响应
3.5 放大电路频率响应的改善与增益带宽积
3.6 自学材料——多级放大电路的频率响应
本章小结
习题


第4章 功率放大电路
4.1 概述
4.1.1 功率放大电路的特点及主要性能指标
4.1.2 功率放大电路的分类
4.2 互补对称功率放大电路
4.2.1 互补对称功率放大器的引出
4.2.2 OCL电路的组成与工作原理
4.2.3 OCL电路的输出功率与效率
4.2.4 OCL电路中晶体管的选择
4.3 改进型OCL电路
4.3.1 甲乙类互补对称功率放大电路
4.3.2 准互补对称功率放大电路
4.3.3 输出电流的保护
4.4 自学材料
4.4.1 其他类型互补对称功率放大电路
4.4.2 集成功率放大电路
本章小结
习题


第5章 模拟集成电路基础
5.1 概述
5.1.1 集成电路中的元器件特点
5.1.2 集成电路结构形式上的特点
5.2 晶体管电流源电路及有源负载放大电路
5.2.1 电流源电路
5.2.2 有源负载共射放大电路
5.3 差动放大电路
5.3.1 工作原理
5.3.2 基本性能分析
5.3.3 差动放大电路的4种接法
5.3.4 差动放大电路的改进
5.4 集成运算放大电路
5.4.1 集成运放电路的组成及各部分的作用
5.4.2 F007通用集成运放电路简介
5.4.3 集成运放的主要性能指标
5.4.4 集成运放电路的低频等效电路
5.4.5 集成运放的电压传输特性
5.5 自学材料
5.5.1 其他几种集成运算放大器简介
5.5.2 集成运放使用注意事项
5.5.3 输出电压与输出电流的扩展
本章小结
习题


第6章 放大电路的反馈
6.1 概述
6.1.1 反馈的基本概念
6.1.2 反馈的判断
6.2 负反馈放大电路的方框图
6.2.1 负反馈放大电路的方框图及一般表达式
6.2.2 4种组态的方框图
6.3 深度负反馈放大电路放大倍数的估算
6.3.1 深度负反馈的实质
6.3.2 放大倍数的分析
6.4 负反馈对放大电路的影响
6.4.1 提高闭环放大倍数的的稳定性
6.4.2 改善输入电阻和输出电阻
6.4.3 展宽通频带
6.4.4 减小非线性失真
6.4.5 负反馈对噪声、干扰和温漂的影响
6.4.6 放大电路中引入负反馈的一般原则
6.5 自学材料
6.5.1 负反馈放大电路的稳定性
6.5.2 电流反馈型运算放大电路
本章小结
习题


第7章 信号的运算与处理电路
7.1 概述
7.2 基本运算电路
7.2.1 比例运算电路
7.2.2 加减运算电路
7.2.3 积分运算电路与微分运算电路
7.2.4 对数运算电路和指数运算电路
7.3 模拟乘法器及其应用
7.3.1 模拟乘法器简介
7.3.2 模拟乘法器的工作原理
7.3.3 模拟乘法器的应用
7.4 有源滤波电路
7.4.1 滤波电路的基础知识
7.4.2 低通滤波器
7.4.3 高通滤波器
7.4.4 带通滤波器
7.4.5 带阻滤波器
7.5 自学材料
7.5.1 预处理放大器
7.5.2 开关电容滤波器
7.5.3 其他形式滤波电路
本章小结
习题


第8章 波形发生与信号转换电路
8.1 概述
8.2 正弦波振荡电路
8.2.1 正弦波振荡的条件
8.2.2 RC正弦波振荡电路
8.2.3 LC正弦波振荡电路
8.2.4 石英晶体正弦波振荡电路
8.3 电压比较器
8.3.1 简单比较器
8.3.2 滞回比较器
8.3.3 窗口比较器
8.4 非正弦波发生电路
8.4.1 矩形波发生电路
8.4.2 三角波发生电路
8.4.3 锯齿波发生电路
8.5 利用集成运放实现信号的转换
8.5.1 电压一电流转换电路
8.5.2 电压-频率转换电路
8.5.3 精密整流电路
8.6 自学材料
8.6.1 单片集成函数发生器
8.6.2 集成锁相环及其应用
8.6.3 集成电压比较器
本章小结
习题


第9章 直流电源
9.1 概述
9.2 单相整流电路
9.2.1 单相半波整流电路
9.2.2 单相桥式全波整流电路
9.3 滤波电路
9.3.1 电容滤波电路
9.3.2 其他形式的滤波电路
9.4 稳压二极管稳压电路
9.4.1 稳压电路的组成与工作原理
9.4.2 稳压电路的性能指标与参数选择
9.5 串联型稳压电路
9.5.1 稳压电路的组成与工作原理
9.5.2 集成三端稳压器的应用
9.6 自学材料
9.6.1 倍压整流
9.6.2 开关型稳压电路
9.6.3 稳压电路的保护
本章小结
习题
附录在系统可偏程模拟器件
参考文献

      1.1.2 杂质半导体
　　通过扩散工艺，掺人某些特殊的微量元素后的半导体称为杂质半导体。在纯净的半导体中掺人三价元素可以构成P型（空穴型）半导体，掺入五价元素可以构成N型（电子型）半导体。控制掺入的微量元素的浓度就可以控制杂质半导体的导电性能。
　　1.P型半导体
　　在半导体晶体（如硅）中，掺入微量的三价元素（如硼、镓或铟）就构成了P（Positive）型半导体。由于杂质原子最外层有3个价电子，它们会取代晶格中硅原子的位置而与周围的硅原子形成共价键结构，杂质原子因缺少一个价电子而同时产生一个空位。在常温下，当共价键中硅原子的价电子由于热运动而填补此空位时，杂质原子因为获得了一个电子而成为负离子，同时硅原子的共价键因为缺了一个价电子而产生了一个空穴。杂质负离子处于晶格的位置上而不能自由移动，如图1.4所示。在P型半导体中，空穴来自两个方面：一部分由本征激发产生，其数量极少；另一部分与杂质负离子同时产生，其数量取决于杂质浓度，且与负离子数量相等。所以，在P型（亦称为空穴型）半导体中，空穴数量等于负离子数加自由电子数，空穴成为多数载流子（简称多子），而自由电子成为少数载流子（简称少子）。杂质原子因为其中的空位吸收电子，而称为受主杂质。
　　2.N型半导体
　　同样道理，在半导体晶体（如硅）中，掺入微量的五价元素（如磷、砷或锑）就构成了N（Negative）型半导体。由于杂质原子最外层有5个价电子，当它们取代晶格中硅原子的位置而与周围的硅原子形成共价键时，还会多出一个不受共价键束缚的电子，在常温下，由于热激发就可以使它们成为自由电子。杂质原子由于处于晶格的位置上，且释放了一个电子而成为不能移动的正离子，如图1.5所示。在N型半导体中，电子来自两个方面：一部分由本征激发产生（数量极少）；另一部分与杂质正离子同时产生（数量取决于杂质浓度，且与正离子数量相等）。所以在N型（亦称为电子型）半导体中，自由电子的数量等于正离子数加空穴数，自由电子成为多数载流子（简称多子），而空穴成为少数载流子（简称少子）。杂质原子可以提供电子，故称为施主杂质。