本书是B·K·伐因斯坦（主编）与A·A·契尔诺夫和L·A·苏伏洛夫主持编写的4卷本巨著《现代晶体学》中的第4卷.本书由有名学者L·A·苏伏洛夫牵头的8位专家共同编写.本书是一本关于晶体物理性质基本概念、理论和技术的有名著作，着重从晶体学基础的角度来编排内容，对晶体物理性质的理论和实践进行了全面、系统的介绍，对广大读者有

《结晶学与矿物学教程/普通高等教育十三五规划教材》分5篇18章：第Ⅰ篇晶体几何学，含1～3章，包括晶体及其性质、晶体宏观对称、单形与聚形、空间格子、晶体结晶系统、七个晶系、230种空间群等；第Ⅱ篇晶体化学与晶体生长，含4～5章，包括晶体化学、晶体结构、晶体生长物理化学、热力学等；第Ⅲ篇矿物性质及鉴定方法，含6～9章，包

本书对透射电子显微镜的构造、实验技术的原理和应用进行了详细介绍。第二版已对第一版内容进行了修订和更新。解释了为什么需要用到这一特殊的技术以及如何将这一特定概念运用到实践中。全书分为上下两册，共4篇，总计40章。第一篇主要介绍一些与透射电子显微镜相关的基本概念，包括电子衍射的基础知识、仪器的构造与功能，以及透射电子显微镜

本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程，着重讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应等问题做了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统中的的生长动力学采用统一的观点加以阐述。本书是一本全面论述晶体生长理论的专著，既可作为高等院校学生和研究有关晶体生长课程的

《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应

本书共分为10章，内容包括：绪论、晶体生长的基本规律、晶体的面角恒等及投影、晶体的宏观对称、单形和聚形、晶体定向和结晶符号、实际晶体的形态和规则连生、晶体结构的几何理论、晶体化学基础、晶体结构。

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的

本书是一本关于晶体生长基本概念和技术的著名著作，书中对晶体生长的理论和实践进行了系统的全面的叙述，对广大读者有重要的参考价值。本书由结晶过程和晶体生长两大部分组成。第一部分包含平衡、成核和外延、生长机制、杂质、质量和热输运、生长外形及其稳定性、缺陷的产生和团块结晶等。第二部分介绍了气相生长、溶液生长和熔体生长。本书可供

本书是中山大学海洋科学学院系列教材之一，包括18个实验，介绍结晶学与矿物学的基础知识。每个实验内容包括实验目的和要求、实验知识要点、实验的主要内容及注意事项。本书符合实验教材常用写法，理论与实践结合，适合大学有关专业作教材使用。

本书是作者在多年的科研和教学基础上积累而成。运用几何学的概念和方法系统地分析和推导晶体的对称性原理及晶体的衍射原理，给读者以鲜明的立体概念，便于理解、掌握和应用。全书共分为三部分:几何晶体学基本原理、微观空间对称原理和晶体中X射线衍射基本原理。第一、二篇运用一般位置等效点系中的等效点在空间的对称分布与空间对称性相一致的