氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色

激光热敏光刻具有以下特点:1)宽波段光刻,这类光刻胶的吸收光谱一般都覆盖从近红外到极紫外的整个光刻曝光的波段,可以称之为宽波段光刻胶;2)突破衍射极限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光学衍射极限,而是取决于热致结构变化区域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的强度一般呈高斯分布,光斑中心的温度高,沿四周扩散并逐渐降低,

本书主要介绍了第一性原理及其在计算机模拟中各种参数的设置问题和实际模拟中的参数选择,以及该方法在基于表面改性设计的氮化镓/氮化铟纳米线、氮化镓纳米薄膜等纳米材料在外场(电场或应变场)作用下电学性质和磁学性质研究中的应用,并将材料进一步拓展到外场下表面改性的类石墨烯(锡烯和锗烯等)纳米材料。

功率半导体器件封装技术

本书主要依据作者研究团队及国内外金属有机框架材料（MOFS）与半导体复合材料的研究进展，系统介绍了不同种类的MOFS半导体异质结构制备方法，表征手段，电荷传递路径，在不同污染环境中的催化应用以及光催化性能机理解释。最后，阐述了此类异质结构在工业应用中的未来方向和发展前景。 本书可供从事金属有机框架材料及其光电

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本书就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的特点和要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题进行了全面的分析。对于手工焊接的可靠性问题、整机接地与布线处理的电磁兼容性问题、工艺文件的编制、电子装联检验的理念和操作等内容，本书不仅在理论上，还在

以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为主导、以应用为目的的实用型

近年来.以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为国际半导体领域的重点研究方向.本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体